输出结果同理论值存在偏差，并且由于受温度和电源波动的影响，此误差并不是固定值。注意：Vos为直流偏置，直接叠加在输出上，因此如果是交流

  定义：当运放输出直流电压为零时，运放两个输入端流进或者流出直流电流的平均值

  影响因素：制造工艺，双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；场效应管做输入级，输入偏置电流一般低于1nA。

  影响结果：运算放大器输出结果同理论值存在偏差，参照图1，受偏置电流Ib影响得到的**偏置电压为：**VB=R1*R2/（R1+R2）*Ib

  定义：当运放输出直流电压为零时，运放两个输入端流进或者流出直流电流的差值

  影响结果：同样在运放输出信号引入误差，如图1中计算受到失调电流影响的输出结果为：

  定义：在某频率下测量的开环电压增益与测量频率的乘积，GBP=FH*AM如图所示，其中频率为fH运放增益衰减为-3dB时带宽，ft时为单位增益带宽。

  影响结果：该参数表明在设计过程中一定要考虑放大增益倍数同信号频率之间的关系，高频信号增益大小受限，必须选用GBP参数较大的运放。

  定义：放大器对差模信号的电压放大倍数Aud与对共模信号的电压放大倍数Auc之比，CMRR=Aud/Auc或者表示为

  影响结果：这一参数是为说明差分放大电路抑制共模信号及放大差模信号的能力，抑制共模输入的干扰信号提高信噪比。

  影响结果：失调电压发生明显的变化，导致运放输出受一定的影响，如果是直流信号后面跟A/D，直接影响最后检测结果。

  定义：也称为压摆率，将一个大信号（包括阶跃信号）输入至运放输入端，运算放大器输出电压的上升速率，单位有通常有V/s，V/ms和V/μs。压摆率的数学定义：SR=2×pi×f×Vpk。

  影响结果：评价运放对信号变化速度的适应能力，是衡量运放在大幅度信号作用时工作速度的参数。当输入信号变化斜率的绝对值小于SR时，输出电压才按线性规律变化。

  下面帮大家对运放的要求做归类，同时对照上面参数，帮大家更好的去建立一个整体思维，按照顺序思考归类，更便利记忆哦：

  判断：直流注意失调电流、失调电压参数；差分输入判断是否选择仪表放大器；高频交流注意增益带宽积GBD和转换速度SR；

  算参：根据精度要求，重点计算失调电压、偏置电流、失调电流以及共模抑制比对精度影响，判断是否选用高阻运放或者是精密运放。

  问己：温度极端否？气温变化剧烈否？电源波动严重否（用了DCDC或者模数分割没做好，这些坑我都踩过）？

  算参：看看运放温度量程；注意温漂参数影响；注意电源纹波抑制比PSRR参数（没列出来，可以望文生义）；

  加餐了，我在此按照厂商的排列方式列出了五种不一样的运算放大器，并且把他们各自的特点明明白白的写出来啦，大家对照自己在第二章提出的要求按图索骥吧。

  基操：总谐波失真加噪声（THD+N，感兴趣童鞋能自行了解）；超低噪声（高保真）；低功耗（高续航）；小封装（毕竟耳机用）

  和比较器的型号对照表，器件的参数也很清楚，知道为啥要选这个器件的理由！

  ，详细解析了运算放大器的特点、工艺、功能、性能、参数、指标和运算放大器的对信号放大的影响和

  接成单位增益后，输入信号振幅200mV时，输出可以跟随输入，当将两个这样的

  本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 12:57 编辑 超高性能超低尺寸单

  工作，但是是个新手，有不懂的地方，问题是数据手册上的参数都是在一定的测试条件下进行的，比如说一定的温度，一定的供电电压，一定的负载下进行，那么我所选

  ：在设计中做一个精密传感器的信号采集，传感器的给出的电流信号非常灵敏，属于nA级别，测试的范围在0-100ppm之间，精度要达到0.005ppm，后端要对传感器的输出

  。条件是：电源-8~+8输入，-5~+5输出，输出电流需要40mA左右，输入信号为0~2.5V。温漂要小5mV，精度要高，整个输出段都要有。请帮忙推荐一些低噪声

  传感器为热释电红外传感器，待提取信号频率0.1~20Hz ,幅度5uV，要使用到两级放大，最好单片能有两个以上通道，请问

  来论坛也有一段时间了，请允许我问一个比较笼统的问题，因为这样的一个问题一直困扰我很久了，请各位见谅 1.怎么样来判断电流型

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  SYS_BIOS (TI-RTOS Kernel) v6.46 Users Guide

  STM32F407ZGT6 spi flash片选引脚无法被拉低的原因？如何来解决？